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NXP Semiconductors
PESD5V0U5BF; PESD5V0U5BV
Ultra low capacitance bidirectional ?vefold ESD protection arrays
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff
-
-
5
V
voltage
I RM
reverse leakage current V RWM = 5 V
-
5
100
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
5.5
6.5
9.5
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz
V R = 0 V
V R = 5 V
-
-
2.9
1.9
3.5
-
pF
pF
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
-
-
100
?
3.0
C d
(pF)
2.6
2.2
006aab036
? V CL ? V BR ? V RWM
I PP
I R
I RM
? I RM
? I R
?
V RWM V BR V CL
+
1.8
0
1
2
3
4
5
? I PP
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
V R (V)
006aaa676
Fig 2.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 3.
V-I characteristics for a bidirectional
voltage; typical values
PESD5V0U5BF_PESD5V0U5BV_1
ESD protection diode
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 August 2008
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